在硬科技创业浪潮中，“颠覆性创新”一向是最吸引资本的关键词。然而，有些技术之所以吸引目光，并非因为突破了科学边界，而是因为它构建了一个足够宏大的故事。纵激元的“常温脉泽量子通感一体化技术”就是这样一个典型案例。它以“打破微波泵浦极限”“纵波极化激元（纵激元）常温凝聚态理论体系”“极化激元”“常温脉泽”“常温量子传感”“常温半导体脉泽量子芯”“纵激元量子芯片”“常温量子传感芯片”等概念不断吸引关注，但当这些叙述被放回最基本的物理框架下审视，漏洞却逐渐浮出水面。

 

所谓“科学突破”，必须同时满足能量链可闭合、结构逻辑自洽、实验可复现，而不是用故事遮盖理论缺口。以下，我们从物理基础、专利内容与实验逻辑三个角度，逐层起底这项技术背后的关键问题。

 

一、微波能量远不足以产生脉泽：理论核心在第一步就站不住脚

 

其宣传的将微波作为泵浦使粒子、电子、极化激元等激发到高能级，本身就违背了物理学基本定律。常见半导体禁带宽度在 1 eV 量级，对应需 10的14次方Hz 以上的泵浦频率；而微波频段仅有 10的9次方–10的11次方Hz，能量差距高达三至五个数量级，根本无法实现粒子数反转。在常温环境下，微波不可能使二维电子气极化，如果想要被极化必须施加磁场。同时，在常温下也不能用微波作为泵浦使极化激元跃迁。热噪声（kT）远远压制了微波量子效应，且电子散射耗损太大，无法维持粒子数反转。

 

因此，该公司提出的“常温半导体脉泽技术”、“纵波极化激元（纵激元）常温凝聚态理论体系”、“基于激子极化激元技术的常温量子传感芯片”、“脉泽量子通感一体化技术（全球首个常温量子传感）”、“全球首台常温晶体管微波激射器”等技术和产品违背了物理学基本定律。

 

进一步说，该公司标榜的在 2016 年“观测到脉泽现象”，本质上是常规射频电路中的混频现象，与真正的微波受激辐射完全无关。在微波频段、在常规半导体材料及常规电子电路条件下，根本不可能产生脉泽的受激辐射现象。

 

该公司通过一系列的偷换概念、扭曲事实，将常见的射频电路混频现象包装为量子力学中在接近绝对零度或强磁场或光泵浦条件下才能产生的脉泽现象，实现牟利，这是严重的学术不端行为。

 

二、专利揭示真实结构：所谓“量子芯”其实就是普通晶体管

 

如果一个器件真的产生了受激辐射效应，那么它在结构上必然具有明显区别于传统半导体器件的特征，如特殊增益介质、能级结构、泵浦耦合腔体或量子结构。然而公开的专利材料显示，所谓“常温半导体脉泽量子芯片”无论从材料、结构还是电路架构上，都与普通 MOSFET 或 HEMT 高度一致。沟道结构、源漏区布局、异质结材料，均在传统工艺范围内，没有任何“量子器件”的必要元素。

 

更值得注意的是，专利说明书中甚至明确写出“微波能量无法实现价带—导带跃迁”，这与外界宣传的“微波泵浦脉泽”逻辑直接冲突。换句话说，专利文本承认做不到的事情，宣传系统却在大规模强调“已经突破”。

 

一个与普通晶体管几乎无差别的器件，被包装为“量子芯”，本身就说明了叙事与物理之间的巨大裂缝。

 

三、实验与制造链路不自洽：如果真是“革命性技术”，它在哪里被做出来？

 

任何真正突破性的物理现象出现后，其实验逻辑必须清晰可复现，其制造过程也必须符合其理论要求。然而在此案例中，我们既没有看到具备脉泽器件必要条件的制造流程，也看不到任何独立实验室的重复验证。

 

如果器件真的能在常温产生受激辐射，那么它需要特殊腔体、定制结构或非常规增益体系，而不是普通 CMOS 或 III–V 制程。问题是：目前公开资料中既没有特别的制造工艺，也没有材料工程文档，更没有任何第三方实验能复现所谓的“常温脉泽现象”。

 

这引出了最关键的问题：如此“突破性”的量子芯究竟在哪里生产？如果是传统工艺量产，那为什么过去几十年全球半导体行业从未观察到类似效应？如果它依赖特殊工艺，为什么没有任何工艺文件或实验参数公开？如果连制造路径都无法自洽，那么所谓“科学突破”恐怕更像是一种故事构建，而非真正的技术演化。

 

结语：科学不是故事的舞台，物理定律不会因叙事而动摇

 

真正的科学突破从不害怕检验，更不需要故事来润色。微波能量不足、极化激元频率不匹配、专利结构与宣传不符、制造链路完全缺失，这些问题共同指向一个结果：所谓“常温半导体脉泽”并非物理意义上的创新，而是靠概念包装和叙事营销构建的技术幻象。

 

科学可以前沿，但不能脱离基本定律；资本可以热情，但不能凌驾物理规律。

当科学与故事发生冲突，真正站得住脚的永远只有能量、结构和实验。