基于年产数十亿颗芯片的TMR传感器量产平台， 多维科技针对摄像头自动对焦和光学图像防抖的全系列产品已为智能手机市场批量供货

加利福尼亚州圣塔克拉拉和张家港2026年5月6日 美通社 －－ 在Sensors Converge 2026展会上，专业的隧道磁阻 （TMR） 磁传感器领先制造商 多维科技有限公司 （MultiDimension Technology Co., Ltd., MDT）日前宣布，面向智能手机摄像头高精度光学图像防抖 （OIS） 应用的超小尺寸TMR线性传感器芯片 TMR2531 和 TMR2539已为智能手机市场批量供货。

TMR2531 和 TMR2539 专为智能手机摄像头 OIS 设计，可在音圈马达 （VCM） 模组中实现微米级的位移检测，支持VCM驱动芯片精确补偿相机抖动，以提升影像拍摄的稳定性。两款传感器芯片都由四个高信噪比的 TMR 敏感元件集成为单个惠斯通全桥结构，实现对Z 方向垂直磁场强度的测量。

TMR2531和TMR2539系列产品的关键特性：

• 微米级OIS定位精度
• TMR2531：±1000高斯线性测量范围
• TMR2539：±1500高斯线性测量范围
• 抗水平磁场干扰能力：有效屏蔽±3000高斯的水平干扰磁场，以确保在强磁场干扰的VCM环境中稳定工作
• 宽工作电压范围：1.0 V ～ 5.5 V
• 超小DFN4L封装：0.8 × 0.5 × 0.25mm，支持空间紧凑的VCM设计

虽然霍尔效应传感器已广泛用于手机摄像头模组，随着潜望镜式长焦镜头在当今智能手机中的日益普及，OIS系统的精度要求已随之大幅提升至微米级，以确保在更大的防抖行程范围内实现棱镜的精确定位。多维科技的 TMR 传感器技术具备卓越的信噪比、扩展的线性测量范围和强大的抗磁场干扰能力，为高端智能手机摄像头自动对焦 （AF） 和 OIS提供了坚实有力的技术升级方案。

TMR2531 和 TMR2539这两款新品加入了 MDT 针对自动对焦的TMR传感器芯片TMR4101和 TMR301X产品系列，构成了一个基于TMR技术的完整解决方案，可为智能手机摄像头AF和OIS实现微米级的高精度定位。该系列产品在多维科技位于中国苏州张家港市的垂直整合TMR 传感器生产基地进行设计、制造、封装和测试。该产线为多维科技自主拥有，具备年产出数十亿颗TMR传感器芯片的产能，以满足全球消费电子市场的量产供货需求。

在Sensors Converge2026展会上， MDT 还将同步展示最新游戏手柄和游戏键盘中采用其TMR线性和角度传感器的产品案例，以及近期发布的可实现picoTesla皮特级分辨率的TMR8105微弱磁场探测器、具备1.6MHz 带宽的HF2905宽频谱TMR电流探头，和应用于人形机器人的TMR旋转编码器解决方案。

MDT 简介
多维科技创立于2010年，总部设在中国江苏省张家港，并在中国深圳、成都、宁波，及新加坡、日本东京、美国加利福尼亚州圣何塞设有分支机构。MDT 自主拥有多项独特的专利技术和先进的TMR生产基地，可批量生产高性能、低成本 TMR 磁传感器以满足严格的应用需求。多维科技的核心管理团队由磁传感器技术和工程服务领域的业内精英和资深专家组成。在核心团队的带领下，MDT 致力于为客户带来更多附加值，并确保他们的成功。有关 MDT 详情，请访问：http：www.dowaytech.com。

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